等離子增強化學(xué)氣相沉積爐（PECVD系統）

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PECVD系統是一種基于等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的薄膜沉積設備，能夠對各種材料進(jìn)行薄膜沉積，包括金屬、半導體、絕緣體等。PECVD技術(shù)在微電子、光電、平板顯示、儲能等領(lǐng)域具有重要的應用價(jià)值。

產(chǎn)品型號：

更新時(shí)間：2024-06-19

廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家

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品牌	HAOYUE/皓越

一、PECVD系統產(chǎn)品應用

PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會(huì )使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應；借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易反應，在基片上沉積出所期望的薄膜；具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點(diǎn)；

等離子增強化學(xué)氣相沉積爐（PECVD系統）

PECVD系統

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1、整機采用SUS304不銹鋼材質(zhì)，流線(xiàn)型外觀(guān)，真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛，保溫性能好。

2、爐子底部裝有一對滑軌，移動(dòng)平穩，可以手動(dòng)從一端滑向另一端，實(shí)現快速的加熱和冷卻。爐蓋可開(kāi)啟，可以實(shí)時(shí)觀(guān)察加熱的物料。

3、采用高純石英管，高溫下化學(xué)穩定性強，耐腐蝕，熱膨脹系數極小。

4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭，通過(guò)用高溫“O"型圈緊密密封可獲得高真空，一個(gè)卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷。

5、加熱元件采用康奈爾發(fā)熱絲，表面負荷高、經(jīng)久耐用。設計溫度1200℃，升溫速率10℃/min。

6、可選配多路質(zhì)量流量計，數字顯示、氣體流量自動(dòng)控制；內置不銹鋼混氣箱，每路氣體管路均配有逆止閥，可通過(guò)控制面板上的旋鈕來(lái)調節氣體流量。

7、等離子射頻電源：大射頻功率達500W，輸出頻率13.56MHz±0.005%，輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

三、技術(shù)參數

型號	HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE	HTF1200-5/20-4M-LV-PE	HTF1200-6/40-2M-HV-PE	HTF1200-8/40-4M-HV-PE
設計溫度（℃）	1200	1200	1200	1200
控溫精度（℃）	±1	±1	±1	±1
加熱區直徑（mm）	25	50	60	80
加熱區長(cháng)度（mm）	200	200	400	400
加熱管長(cháng)度（mm）	450	450	1000	1000
恒溫區長(cháng)度（mm）	80	80	150	150
額定電壓（V)	220	220	220	220
額定功率(KVA)	1.2	1.2	3	3
射頻電源功率（W)	5~300	5~300	5~500	5~500
真空機組	HTF-101	HTF-101	HTF-104	HTF-104
供氣系統	HTF-2F	HTF-4F	HTF-2M	HTF-4M

　　PECVD系統主要由等離子體源、反應室、氣體進(jìn)料裝置、真空泵組成。

　　等離子體化學(xué)氣相沉積是一個(gè)非常重要的化學(xué)物理過(guò)程，其原理是將氣態(tài)前驅體通過(guò)電場(chǎng)等離子體化為反應中的激活態(tài)分子或離子，并在特定條件下沉積在襯底上。在PECVD系統中，首先將反應室抽真空至高真空狀態(tài)，然后在等離子體源產(chǎn)生高能電子通過(guò)電磁場(chǎng)加熱氣體形成等離子體，對氣態(tài)前驅體進(jìn)行等離子體化學(xué)反應，產(chǎn)生反應產(chǎn)物并在襯底上沉積為薄膜。

　　PECVD系統有多種類(lèi)型，根據不同的離子化方式可以分為射頻、微波等離子體排放等多種形式。其中，射頻等離子體排放方式最為常見(jiàn)。

　　射頻等離子體排放方式是通過(guò)高頻電極和接收電極之間的電場(chǎng)產(chǎn)生等離子體。在等離子體反應中，通過(guò)控制前驅體的壓力、流量、疊加比例等參數，控制反應過(guò)程中的離子濃度、溫度、速度等參數，從而得到所需要的薄膜。

　　PECVD技術(shù)具有多項優(yōu)點(diǎn)，如沉積速度高、沉積質(zhì)量好、材料可控性高等，能夠滿(mǎn)足復雜材料沉積的要求。同時(shí)，PECVD技術(shù)也存在一些問(wèn)題，如材料不均勻性、產(chǎn)率低、設備成本高等。

　　在實(shí)際應用中，通過(guò)調整PECVD系統的工藝參數、優(yōu)化設備結構以及改進(jìn)氣體進(jìn)料裝置等措施，可以克服其存在的問(wèn)題，并在微電子、光電、平板顯示、儲能等領(lǐng)域獲得廣泛應用。

　　綜上所述，PECVD系統是一種非常重要的材料加工設備，具有多項優(yōu)點(diǎn)，但也面臨一些挑戰。在這方面，需要通過(guò)不斷地技術(shù)創(chuàng )新和設備改進(jìn)，使其在實(shí)際應用中的性能不斷地得到提高，從而更好地滿(mǎn)足各種應用領(lǐng)域的需求。

上一個(gè)：氣壓爐（石墨加熱臥式）